PHN203,518
Modello di prodotti:
PHN203,518
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18348 Pieces
Scheda dati:
PHN203,518.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:934055442518
PHN203 /T3
PHN203 /T3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:PHN203,518
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14.6nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.3A
Email:[email protected]

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