PMDPB85UPE,115
PMDPB85UPE,115
Modello di prodotti:
PMDPB85UPE,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13448 Pieces
Scheda dati:
PMDPB85UPE,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:DFN2020-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:103 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Potenza - Max:515mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-1239-2
568-10444-2
568-10444-2-ND
934066843115
PMDPB85UPE,115-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PMDPB85UPE,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:514pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 515mW Surface Mount DFN2020-6
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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