PMN25EN,115
PMN25EN,115
Modello di prodotti:
PMN25EN,115
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16998 Pieces
Scheda dati:
PMN25EN,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:23 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):540mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:568-10416-2
934066001115
PMN25EN,115-ND
PMN25EN115
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PMN25EN,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:492pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 6.2A (Ta) 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A (Ta)
Email:[email protected]

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