Acquistare PQMH2Z con BYCHPS
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore: | DFN1010B-6 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
Resistenza - Base (R1) (ohm): | 47k |
Potenza - Max: | 230mW |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | 6-XFDFN Exposed Pad |
Altri nomi: | 1727-2717-2 568-13238-2 568-13238-2-ND 934069738147 PQMH2Z-ND |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
codice articolo del costruttore: | PQMH2Z |
Frequenza - transizione: | 230MHz |
Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
Descrizione: | TRANS NPN/NPN RET 6DFN |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max): | 1µA |
Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |