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PTF210451F V1
- Modello di prodotti:
- PTF210451F V1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15246 Pieces
- Scheda dati:
- PTF210451F V1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-31265-2 |
| Serie: | GOLDMOS® |
| Alimentazione - uscita: | 45W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Altri nomi: | SP000407202 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | PTF210451F V1 |
| Guadagno: | 14dB |
| Frequenza: | 2.17GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.17GHz 14dB 45W H-31265-2 |
| Descrizione: | IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 |
| Valutazione attuale: | 1µA |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTF210451F V1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD85006-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF | Inchiesta |
 |
BLF8G10LS-270,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Inchiesta |
 |
MRF6S19140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | Inchiesta |
 |
PTF210451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | Inchiesta |
 |
PTF210101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | Inchiesta |
 |
PTRA093302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | Inchiesta |
 |
BLF7G20LS-250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | Inchiesta |
 |
MRF9210R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ 860C3 | Inchiesta |
|
MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ | Inchiesta |
 |
NE34018-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Inchiesta |
 |
ARF461AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Inchiesta |
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