Acquistare PTFA191001EV4R250XTMA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
PTFA191001EV4R250XTMA1
- Modello di prodotti:
- PTFA191001EV4R250XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17913 Pieces
- Scheda dati:
- PTFA191001EV4R250XTMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per PTFA191001EV4R250XTMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per PTFA191001EV4R250XTMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 30V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-36248-2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 44dBm |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Altri nomi: | PTFA191001E V4 R250 PTFA191001E V4 R250-ND SP000393320 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PTFA191001EV4R250XTMA1 |
| Guadagno: | 17dB |
| Frequenza: | 1.96GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 1.96GHz 17dB 44dBm H-36248-2 |
| Descrizione: | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
| Valutazione attuale: | 10µA |
| Corrente - Test: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTFA191001EV4R250XTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA191001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | Inchiesta |
 |
PTFA191001EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 | Inchiesta |
|
PTFA190451FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | Inchiesta |
|
PTFA191001F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | Inchiesta |
|
PTFA190451EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | Inchiesta |
|
PTFA192001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | Inchiesta |
 |
PTFA192001EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | Inchiesta |
|
PTFA192001EV4T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | Inchiesta |
|
PTFA192401FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers