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PTFA192001FV4FWSA1
- Modello di prodotti:
- PTFA192001FV4FWSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15971 Pieces
- Scheda dati:
- PTFA192001FV4FWSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 30V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-37260-2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 50W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Altri nomi: | PTFA192001F V4 PTFA192001F V4-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | PTFA192001FV4FWSA1 |
| Guadagno: | 15.9dB |
| Frequenza: | 1.99GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-37260-2 |
| Descrizione: | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| Valutazione attuale: | 10µA |
| Corrente - Test: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTFA192001FV4FWSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192001E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | Inchiesta |
 |
PTFA192001EV4T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | Inchiesta |
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PTFA192001E1V4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Inchiesta |
|
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Inchiesta |
|
PTFA192001EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Inchiesta |
|
PTFA192001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | Inchiesta |
|
PTFA192001EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | Inchiesta |
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