PUMD10,115
PUMD10,115
Modello di prodotti:
PUMD10,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18555 Pieces
Scheda dati:
PUMD10,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSSOP
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:1727-1154-2
568-10322-2
568-10322-2-ND
934055239115
PUMD10 T/R
PUMD10 T/R-ND
PUMD10,115-ND
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PUMD10,115
Frequenza - transizione:230MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Descrizione:TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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