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QS6J1TR
- Modello di prodotti:
- QS6J1TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15687 Pieces
- Scheda dati:
- QS6J1TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS6J1TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS6J1TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT6 (SC-95) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.25W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | QS6J1TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per QS6J1TR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3993CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
QS6J11TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 | Inchiesta |
 |
QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | Inchiesta |
 |
SP8M2FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC | Inchiesta |
 |
APTM50DHM35G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | Inchiesta |
 |
MMDF2P02ER2G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC | Inchiesta |
|
APTM100A46FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | Inchiesta |
 |
SI4942DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC | Inchiesta |
|
JANTXV2N7335 | Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB | Inchiesta |
 |
CSD75205W1015 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA | Inchiesta |
 |
SMMA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L | Inchiesta |
 |
FDG6302P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 | Inchiesta |
 |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | Inchiesta |
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