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QS8J5TR
- Modello di prodotti:
- QS8J5TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17180 Pieces
- Scheda dati:
- QS8J5TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS8J5TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS8J5TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 39 mOhm @ 5A, 10V |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | QS8J5TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A |
| Email: | [email protected] |
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