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R6009KNJTL
- Modello di prodotti:
- R6009KNJTL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17457 Pieces
- Scheda dati:
- R6009KNJTL.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per R6009KNJTL, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per R6009KNJTL via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 94W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | R6009KNJTLTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | R6009KNJTL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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