R6020ANZC8
R6020ANZC8
Modello di prodotti:
R6020ANZC8
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15897 Pieces
Scheda dati:
R6020ANZC8.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.15V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PF
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:220 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):120W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-3P-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:R6020ANZC8
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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