R6025FNZ1C9
R6025FNZ1C9
Modello di prodotti:
R6025FNZ1C9
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19612 Pieces
Scheda dati:
R6025FNZ1C9.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:R6025FNZ1C9
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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