Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R8005ANX
R8005ANX
R8005ANX
Modello di prodotti:
R8005ANX
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13477 Pieces
Scheda dati:
R8005ANX.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per R8005ANX, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per R8005ANX via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare R8005ANX con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FM
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.08 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:R8005ANXCT
R8005ANXCT-ND
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:R8005ANX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:485pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per R8005ANX

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IXFL39N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 Inchiesta
STP6N95K5 Image STP6N95K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 9A TO-220 Inchiesta
CSD17570Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON Inchiesta
SPP08N80C3 Image SPP08N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB Inchiesta
IXFL70N60Q2 IXYS MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 Inchiesta
PSMN013-100XS,127 Image PSMN013-100XS,127 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F Inchiesta
AOTF12T60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V TO-220F Inchiesta
IRF720STRL Image IRF720STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Inchiesta
SFT1342-E ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A IPAK Inchiesta
NTMFS4C53NT3G Image NTMFS4C53NT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL Inchiesta
SI1069X-T1-E3 Image SI1069X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 Inchiesta
SI7716ADN-T1-GE3 Image SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 Inchiesta
IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Inchiesta
2N7000G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Inchiesta
DMN31D5UFZ-7B Image DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- Inchiesta
PMV65UNER Image PMV65UNER Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V TO-236AB Inchiesta
CSD25484F4 Texas Instruments P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET Inchiesta
ZXMN7A11KTC Image ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK Inchiesta
AUIRL1404ZL Image AUIRL1404ZL Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO262 Inchiesta
STD16NF25 Image STD16NF25 STMicroelectronics MOSFET N-CH 250V 13A DPAK Inchiesta

Latest Notizie