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RCD100N19TL
- Modello di prodotti:
- RCD100N19TL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18408 Pieces
- Scheda dati:
- RCD100N19TL.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RCD100N19TL, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RCD100N19TL via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CPT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 182 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | RCD100N19TLTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RCD100N19TL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 190V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 190V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 190V 10A CPT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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