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RDD022N60TL
- Modello di prodotti:
- RDD022N60TL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V CPT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13688 Pieces
- Scheda dati:
- RDD022N60TL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.7V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CPT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.7 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 20W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RDD022N60TL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V CPT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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