RDN050N20FU6
RDN050N20FU6
Modello di prodotti:
RDN050N20FU6
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16356 Pieces
Scheda dati:
RDN050N20FU6.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FN
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:720 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RDN050N20FU6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:292pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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