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RF4E080GNTR
- Modello di prodotti:
- RF4E080GNTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18739 Pieces
- Scheda dati:
- RF4E080GNTR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17.6 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerUDFN |
| Altri nomi: | RF4E080GNTRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RF4E080GNTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 295pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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