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RFD8P05
- Modello di prodotti:
- RFD8P05
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18450 Pieces
- Scheda dati:
- RFD8P05.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RFD8P05, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RFD8P05 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 48W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RFD8P05 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 20V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 50V 8A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 50V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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