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RFM04U6P(TE12L,F)
- Modello di prodotti:
- RFM04U6P(TE12L,F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH PW-MINI
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18076 Pieces
- Scheda dati:
- RFM04U6P(TE12L,F).pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 6V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 16V |
| Tipo transistor: | N-Channel |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PW-MINI |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 4.3W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-243AA |
| Altri nomi: | RFM04U6P(TE12LF)DKR |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RFM04U6P(TE12L,F) |
| Guadagno: | 13.3dB |
| Frequenza: | 470MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI |
| Descrizione: | MOSFET N-CH PW-MINI |
| Valutazione attuale: | 2A |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RFM04U6P(TE12L,F)
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD84008L-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ | Inchiesta |
 |
PTFA211801F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 | Inchiesta |
 |
MRF5S21100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
BLF644PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A | Inchiesta |
|
PTFA192001E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | Inchiesta |
|
MRFG35002N6R5 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ | Inchiesta |
|
MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | Inchiesta |
 |
BLL6H1214P2S-250Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE | Inchiesta |
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