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RFN1L6STE25
- Modello di prodotti:
- RFN1L6STE25
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15492 Pieces
- Scheda dati:
- RFN1L6STE25.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.45V @ 800mA |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 600V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PMDS |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 35ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DO-214AC, SMA |
| Altri nomi: | RFN1L6STE25TR |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 150°C (Max) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RFN1L6STE25 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 600V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 800mA |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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