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RJK0601DPN-E0#T2
- Modello di prodotti:
- RJK0601DPN-E0#T2
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 110A TO220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15739 Pieces
- Scheda dati:
- RJK0601DPN-E0#T2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 55A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RJK0601DPN-E0#T2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10000pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 141nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 110A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 110A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 110A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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