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RJK2009DPM-00#T0
- Modello di prodotti:
- RJK2009DPM-00#T0
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18765 Pieces
- Scheda dati:
- RJK2009DPM-00#T0.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3PFM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 36 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 60W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3PFM, SC-93-3 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RJK2009DPM-00#T0 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 40A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3PFM |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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