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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > RM 11C
RM 11C
Modello di prodotti:
RM 11C
fabbricante:
Sanken Electric Co., Ltd.
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12367 Pieces
Scheda dati:
1.RM 11C.pdf2.RM 11C.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:920mV @ 1.5A
Tensione - inversa (Vr) (max):1000V (1kV)
Contenitore dispositivo fornitore:Axial
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Axial
Altri nomi:RM 11C DK
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-40°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:RM 11C
Descrizione espansione:Diode Standard 1000V (1kV) 1.2A Through Hole Axial
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.2A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per RM 11C

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
RM 4C Image RM 4C Sanken DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Inchiesta
RM 2ZV Sanken DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL Inchiesta
RM 1V Sanken DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
RM 1A Sanken DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Inchiesta
RM 2V Sanken DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL Inchiesta
RM 4AM Image RM 4AM Sanken DIODE GEN PURP 600V 3.2A AXIAL Inchiesta
RM 4A Image RM 4A Sanken DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Inchiesta
RM 2 Sanken DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL Inchiesta
RM 2V1 Image RM 2V1 Sanken DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL Inchiesta
RM 1B Sanken DIODE GEN PURP 800V 800MA AXIAL Inchiesta
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RM 1V1 Sanken DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
RM 1BV Sanken DIODE GEN PURP 800V 800MA AXIAL Inchiesta
RM 2BV Sanken DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL Inchiesta
RM 10Z Sanken DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL Inchiesta
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