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RN1102MFV,L3F
- Modello di prodotti:
- RN1102MFV,L3F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14737 Pieces
- Scheda dati:
- RN1102MFV,L3F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VESM |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOT-723 |
| Altri nomi: | RN1102MFV(TL3T)DKR RN1102MFV(TL3T)DKR-ND RN1102MFVL3F(BDKR RN1102MFVL3F(BDKR-ND RN1102MFVL3FDKR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RN1102MFV,L3F |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RN1102MFV,L3F
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