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RN1425TE85LF
- Modello di prodotti:
- RN1425TE85LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16668 Pieces
- Scheda dati:
- RN1425TE85LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | S-Mini |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 470 |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | RN1425(TE85L,F) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RN1425TE85LF |
| Frequenza - transizione: | 300MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 90 @ 100mA, 1V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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