RN1610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Modello di prodotti:: RN1610(TE85L,F)

fabbricante:: Toshiba Semiconductor

Descrizione:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 17698 Pieces

Scheda dati:: RN1610(TE85L,F).pdf

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:	SM6
Serie:	-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):	-
Resistenza - Base (R1) (ohm):	4.7k
Potenza - Max:	300mW
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	SC-74, SOT-457
Altri nomi:	RN1610(TE85LF)TR
Tipo montaggio:	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	RN1610(TE85L,F)
Frequenza - transizione:	250MHz
Descrizione espansione:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Descrizione:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	120 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):	100mA
Email:	[email protected]

Parti relative per RN1610(TE85L,F)

Immagine	Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
	RN1611(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6	Inchiesta
	EMH59T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Inchiesta

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