RN1903,LF(CT
RN1903,LF(CT
Modello di prodotti:
RN1903,LF(CT
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16397 Pieces
Scheda dati:
RN1903,LF(CT.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:US6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):22k
Resistenza - Base (R1) (ohm):22k
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:RN1903 (T5L,F,T)
RN1903(T5L,F,T)
RN1903(T5LFT)TR
RN1903(T5LFT)TR-ND
RN1903,LF(CB
RN1903LF(CTTR
RN1903T5LFT
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:RN1903,LF(CT
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Descrizione:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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