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RN1962FE(TE85L,F)
- Modello di prodotti:
- RN1962FE(TE85L,F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13393 Pieces
- Scheda dati:
- RN1962FE(TE85L,F).pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 100mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | RN1962FE(TE85LF)CT |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RN1962FE(TE85L,F) |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Descrizione: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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