RN2303(TE85L,F)
RN2303(TE85L,F)
Modello di prodotti:
RN2303(TE85L,F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17171 Pieces
Scheda dati:
RN2303(TE85L,F).pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:USM
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):22k
Resistenza - Base (R1) (ohm):22k
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SC-70, SOT-323
Altri nomi:RN2303(TE85LF)CT
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RN2303(TE85L,F)
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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