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RN2910FE,LF(CB
- Modello di prodotti:
- RN2910FE,LF(CB
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13992 Pieces
- Scheda dati:
- RN2910FE,LF(CB.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 4.7k |
| Potenza - Max: | 100mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RN2910FE,LF(CB |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Descrizione: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RN2910FE,LF(CB
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
EMH2T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 | Inchiesta |
 |
RN1502(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV | Inchiesta |
 |
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | Inchiesta |
 |
DMA261090R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5 | Inchiesta |
 |
DMA964070R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6 | Inchiesta |
 |
RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Inchiesta |
|
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | Inchiesta |
 |
IMH6AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Inchiesta |
 |
DCX143ZU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Inchiesta |
|
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | Inchiesta |
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