RN4902FE(TE85L,F)
RN4902FE(TE85L,F)
Modello di prodotti:
RN4902FE(TE85L,F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14767 Pieces
Scheda dati:
RN4902FE(TE85L,F).pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:ES6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:RN4902FE(TE85LF)TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RN4902FE(TE85L,F)
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Descrizione:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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