RQ1E070RPTR
RQ1E070RPTR
Modello di prodotti:
RQ1E070RPTR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12654 Pieces
Scheda dati:
1.RQ1E070RPTR.pdf2.RQ1E070RPTR.pdf3.RQ1E070RPTR.pdf4.RQ1E070RPTR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):550mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:RQ1E070RPTR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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