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RQ3E130MNTB1
- Modello di prodotti:
- RQ3E130MNTB1
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17007 Pieces
- Scheda dati:
- RQ3E130MNTB1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.1 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | RQ3E130MNTB1TR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RQ3E130MNTB1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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