RR2L6SDDTE25
RR2L6SDDTE25
Modello di prodotti:
RR2L6SDDTE25
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15299 Pieces
Scheda dati:
RR2L6SDDTE25.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.1V @ 2A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:PMDS
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:Automotive, AEC-Q101
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-214AC, SMA
Altri nomi:RR2L6SDDTE25TR
Temperatura di funzionamento - Giunzione:150°C (Max)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:RR2L6SDDTE25
Descrizione espansione:Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):2A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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