RSS050P03FU6TB
Modello di prodotti:
RSS050P03FU6TB
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18753 Pieces
Scheda dati:
RSS050P03FU6TB.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:42 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RSS050P03FU6TB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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