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RT1C060UNTR
- Modello di prodotti:
- RT1C060UNTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14294 Pieces
- Scheda dati:
- RT1C060UNTR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RT1C060UNTR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RT1C060UNTR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSST |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 650mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | RT1C060UNTRTR RT1C060UNTRTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RT1C060UNTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 6A TSST8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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