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RTQ020N03TR
- Modello di prodotti:
- RTQ020N03TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16711 Pieces
- Scheda dati:
- RTQ020N03TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT6 (SC-95) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RTQ020N03TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 135pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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