RUE002N05TL
RUE002N05TL
Modello di prodotti:
RUE002N05TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17533 Pieces
Scheda dati:
RUE002N05TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:EMT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-75, SOT-416
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RUE002N05TL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione:MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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