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RUF020N02TL
- Modello di prodotti:
- RUF020N02TL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14725 Pieces
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RUF020N02TL, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RUF020N02TL via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TUMT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 320mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | RUF020N02TL-ND RUF020N02TLTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RUF020N02TL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 2A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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