S27KL0641DABHB020
S27KL0641DABHB020
Modello di prodotti:
S27KL0641DABHB020
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC 64M FLASH MEMORY
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15435 Pieces
Scheda dati:
S27KL0641DABHB020.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Contenitore dispositivo fornitore:24-FBGA (6x8)
Velocità:100MHz
Serie:Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:24-VBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 105°C (TA)
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:64Mb (8M x 8)
Formato di memoria:DRAM
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:S27KL0641DABHB020
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC 64M FLASH MEMORY
Email:[email protected]

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