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SCT2H12NZGC11
- Modello di prodotti:
- SCT2H12NZGC11
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1700V 3.7A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16420 Pieces
- Scheda dati:
- SCT2H12NZGC11.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 900µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3PFM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Dissipazione di potenza (max): | 35W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3PFM, SC-93-3 |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SCT2H12NZGC11 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 184pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1700V (1.7kV) 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1700V 3.7A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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