SH8J66TB1
SH8J66TB1
Modello di prodotti:
SH8J66TB1
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20005 Pieces
Scheda dati:
SH8J66TB1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:18.5 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SH8J66TB1DKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:SH8J66TB1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A
Email:[email protected]

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