SH8KA4TB
Modello di prodotti:
SH8KA4TB
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19301 Pieces
Scheda dati:
SH8KA4TB.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:21.4 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max:3W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SH8KA4TBTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:SH8KA4TB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A
Email:[email protected]

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