SH8M4TB1
SH8M4TB1
Modello di prodotti:
SH8M4TB1
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19135 Pieces
Scheda dati:
1.SH8M4TB1.pdf2.SH8M4TB1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SH8M4TB1TR
SP8M4TB
SP8M4TBTR
SP8M4TBTR-ND
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SH8M4TB1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A, 7A
Email:[email protected]

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