SI1012X-T1-E3
SI1012X-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1012X-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16087 Pieces
Scheda dati:
SI1012X-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-89-3
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):250mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-89, SOT-490
Altri nomi:SI1012X-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI1012X-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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