SI1056X-T1-GE3
SI1056X-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI1056X-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V SC-89-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18335 Pieces
Scheda dati:
SI1056X-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):236mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SI1056X-T1-GE3TR
SI1056XT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI1056X-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V SC-89-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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