SI1072X-T1-E3
SI1072X-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1072X-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14466 Pieces
Scheda dati:
SI1072X-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:93 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):236mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SI1072X-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI1072X-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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