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SI1419DH-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI1419DH-T1-E3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15673 Pieces
- Scheda dati:
- SI1419DH-T1-E3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-70-6 (SOT-363) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5 Ohm @ 400mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | SI1419DH-T1-E3TR SI1419DHT1E3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI1419DH-T1-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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