SI1469DH-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI1469DH-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13251 Pieces
Scheda dati:
SI1469DH-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SI1469DH-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SI1469DH-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Tc)
Email:[email protected]

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